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固體中電子的能量具有不連續的量值,電子都分布在一些相互之間不連續的能帶上。價電子所在能帶與自由電子所在能帶之間的間隙稱為禁帶或帶隙。所以禁帶的寬度實際上反映了被束縛的價電子要成為自由電子所必須額外獲得的能量。硅的禁帶寬度為1.12電子伏特(eV),而寬禁帶半導體材料是指禁帶寬度在2.3eV及以上的半導體材料,典型的是碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)、金剛石等材料。寬禁帶半導體材料是被稱為第三代半導體材料。

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