您好, 登錄| 注冊|
論壇導航
您好, 登錄| 注冊|
子站:
當前位置: 下載頻道 > 文獻資料 > 碳化硅半導體技術及產業發展現狀

碳化硅半導體技術及產業發展現狀

作者:中國科學院半導體研究所劉興昉 陳 宇。碳化硅半導體(這里指 4H-SiC)是新一代寬禁帶半導體,它具有熱導率高(比硅高 3倍)、與GaN晶格失配小(4% )等優勢,非常適合用作新一代發光二極管(L E D)襯底材料[1]、大功率電力電子材料[2]。

標簽: 半導體
點擊下載
熱門技術文檔 更多
彩票大小单双计算公式

相關資料下載

datasheet
客服熱線
服務時間:周一至周五9:00-18:00
微信關注
免費技術研討會
獲取一手干貨分享

互聯網違法不良信息舉報

Reporting Internet Illegal and Bad Information
400-003-2006